Samsung inicia la fabricación de memorias DRAM LPDDR3 de 4 GB para dispositivos móviles
Samsung Electronics Co., Ltd. ha iniciado la producción de las nuevas memorias DRAM LPDDR3 (Low Power Double Data Rate 3) de bajo consumo para dispositivos móviles que tendrán 4 GB (gigabits) de capacidad y están fabricadas bajo el proceso de 20 nanómetros.
«Al proporcionar las memorias de última generación más eficientes para dispositivos móviles y que además cuentan con una capacidad de datos muy grande, le estamos permitiendo a los fabricantes presentar diseños más innovadores en el mercado»,
«Nuestras DRAMs móviles de 4 gigabits y 20 nanómetros constituye otro ejemplo de nuestra capacidad para ofrecer una memoria bien diferenciada, de alto rendimiento y densidad a nuestros clientes en el momento preciso».
dijo Young-Hyun Jun, vicepresidente ejecutivo de ventas y marketing de memorias de Samsung.
Al parecer los chips DRAM LPDDR3 de 4 GB ofrecerán a los dispositivos móviles unos niveles de rendimiento similares a las DRAMs utilizadas en los ordenadores personales, por lo que es una solución atractiva para las exigentes características multimedia de los dispositivos móviles de última generación, tales como teléfonos inteligentes y tablets de alto rendimiento. En comparación con los módulos LPDDR3 DRAM de 30nm, estas memorias son un 30% más rápidos y prometen un ahorro de batería de un 20 por ciento.
