Micron presenta la tecnología de memoria NAND-Flash de 16 nanómetros
Micron Technology Inc., anunció hoy que se está probando, la tecnología de 16 nanómetros (nm) de próxima generación, que permite memorias NAND Flash de 128 gigabit (Gb) multi-level cell (MLC) más pequeñas de la industria. Micron consolida su posición de liderazgo en el desarrollo de la tecnología de almacenamiento y continua con la visión de la compañía al ofrecer las soluciones de semiconductores más avanzados.
«Un equipo de ingenieros dedicados de Micron ha trabajado incansablemente para introducir la tecnología de fabricación Flash más pequeña y avanzada del mundo»,
«Nuestros clientes continuamente piden mayores capacidades en formatos más pequeños, y esta definición de nodo de nueva generación le permite a Micron liderar el mercado para satisfacer esas demandas.»
dijo Glen Hawk, vicepresidente de Micron NAND Solutions Group.
Los nuevos chips de memoria están dirigidos a aplicaciones como los SSDs, almacenamiento extraíbles, tabletas , dispositivos ultrafinos, teléfonos móviles y centros de datos de almacenamiento en la nube. Micron ha comenzado a enviar muestras de chips de 16 nm 128 Gb MLC NAND Flash a ciertos socios y planea iniciar la producción en masa para el Q4 de 2013.
