Samsung desarrolla la primera memoria DRAM DDR4, con Tecnología de 30 nm

Samsung ha sido uno de los principales participantes en el avance de la tecnología DRAM, en el 2001 introdujo la primera DRAM DDR2, y en 2005 presentó la primera DRAM DDR3 con el uso de la tecnología 80nm.

Ahora Samsung Electronics Co., Ltd, anunció que ha completado el desarrollo de la primera memoria DRAM DDR4 de la industria, la cual usa la tecnología de proceso de 30 nanómetros (nm).

«Samsung ha estado apoyando activamente la industria de TI con nuestra iniciativa ‘green memory’ mediante la presentación de los innovadores productos de memoria ‘eco-friendly’ proporcionando un mayor rendimiento y eficiencia de energía cada año»
«La nueva memoria DRAM DDR4 con proceso de fabricación de punta le da una confianza aún mayor a nuestra ‘memoria verde’, sobre todo cuando se introducen cuatro gigabits (Gb) DDR4 basados en el uso de la tecnología de próxima generación para el proceso de productos de aplicación general.»

dijo Dong Soo Jun, presidente de la división de memoria de Samsung Electronics.

Mediante el empleo de la nueva arquitectura de circuitos, la DDR4 de Samsung será capaz de ejecutar desde los 1.6 hasta 3.2Gbps, en comparación con velocidades de hoy de 1.6 Gbps para DDR3 y 800Mbps de la DDR2.

Los nuevos módulos DIMM en cuestión utilizan la tecnologia de proceso de 30nm, funciona a 2133 MHz (2.133 gigabits por segundo), requiere de 1.2V (en comparación con 1.35V y 1.5V que necesitan las memorias DRAM DDR3), y hace uso de la tecnología Pseudo Open Drain (POD) para un mayor ahorro de energía, lo que permite a la DRAM DDR4 consumir sólo la mitad de la corriente eléctrica de las memorias DDR3 en la lectura y escritura de datos.

Samsung tiene previsto trabajar en colaboración con varios fabricantes para ayudar a asegurar se termine la normalización de la tecnologías DDR4 por parte de la JEDEC para el segundo semestre de este año