Samsung comienza a producir chips NAND flash de 64Gb a 20nm
Samsung (Samsung Electronics Co., Ltd.,) ha anunciado la producción de chips de memoria NAND flash de 3 bits por celda (3bit), de 64Gb (gigabits) de capacidad usando la tecnología de proceso de 20 nanómetros (nm).
Los chips tienen una capacidad de 64 Gb (8 GB) y según el anuncio tendrán una productividad alrededor del 60% superior a los chips NAND 30 nm, de 32 Gb y 3 bits, ademas ofrecen un rendimiento mejorado mediante la aplicación de Toggle DDR (Double Data Rate) 1.0, en comparación con los de SDR (Single Data Rate) basados en los chips NAND-30nm.
“Considerando que los dispositivos de 64 Gb basados en la tecnología 20 nm entran en plena producción, esperamos acelerar la adopción de nuestras soluciones NAND de alto rendimiento que utilizan la tecnología Toggle DDR para aplicaciones que también requieren chips NAND de alta densidad”
afirmo Seijin Kim, vice-presidente de la planificación de chips NAND de Samsung Electronics.
Samsung produce actualmente cerca de 40 por ciento de almacenamiento NAND flash del mundo, este avance ofrece chips que se pueden utilizar en las soluciones de flash de alta densidad, tales como unidades flash USB y tarjetas de memoria SD, unidades SSDs así como los teléfonos inteligentes.
Lamentablemente la compañía no menciono una fecha exacta de disponibilidad para estos nuevos chips.
