Silicon Power introduce nuevos kits de memoria DDR3-1333MHz
Silicon Power, fabricante mundial líder en memorias flash y módulos de memoria DRAM, hoy anunció el lanzamiento de sus memorias DDR3 de gran capacidad con 256Mx8 de procedimiento avanzado, creando asi una nueva linea Gold con un rendimiento mejorado.
La línea de productos incluye 4 GB (de un solo canal), un kit de 8 GB (dual 4GB x2), y el kit de 12GB (triple 4GB x3), totalmente compatible con las plataformas más recientes, tanto de Intel como de AMD, etc.
Los módulos Silicon Power DDR3 son compatibles con los estándares JEDEC, cuentan con un diseño de topología de comandos más eficiente. También apoyan la terminación On-Die (ODT) para reducir drásticamente las señales de reflexión no deseadas y maximizar la velocidad.
Especificaciones del producto:
Tipo de módulo de Memoria: DDR3 Unbuffered ECC Memory
Pins: 240pin Long-DIMM / 204Pin SO-DIMM
Frecuencia: DDR3-1333MHz
ECC función: Unbuffered Non-ECC Memory
Capacidad: 4 GB / 8 GB (4GBx2) / 12 GB (4GBx3)
Especificación del módulo flash: 256Mx8 (bits)
Voltaje de operacion: 1,5 V
Latencia: CAS 9
Garantía: De por vida
